本文摘要：功率半导体家族又迎来一家新上市公司，他就是新洁能（605111）。同样是细分领域海内龙头，今天就来从基本面相识下。 新洁能（605111）：无锡新洁能是海内功率半导体芯片及器件设计龙头。主营为功率半导体芯片和器件的研发、设计及销售。 公司深耕半导体功率器件行业，是海内最早专门从事MOSFET、IGBT研发设计的企业之一，具备独立的芯片设计能力和自主工艺流程设计平台。新洁能具备完善的MOSFET产物矩阵，技术实力和销售规模处于海内领先职位。

功率半导体家族又迎来一家新上市公司，他就是新洁能（605111）。同样是细分领域海内龙头，今天就来从基本面相识下。

新洁能（605111）：无锡新洁能是海内功率半导体芯片及器件设计龙头。主营为功率半导体芯片和器件的研发、设计及销售。

公司深耕半导体功率器件行业，是海内最早专门从事MOSFET、IGBT研发设计的企业之一，具备独立的芯片设计能力和自主工艺流程设计平台。新洁能具备完善的MOSFET产物矩阵，技术实力和销售规模处于海内领先职位。

公司基于全球半导体功率器件先进理论技术开发领先产物，是海内率先掌握超结理论技术，并量产屏蔽栅功率MOSFET及超结功MOSFET的企业之一；也是海内最早同时拥有沟槽型功率MOSFET、超结功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET及IGBT四大产物平台的本土企业之一。公司现在已发展为海内8英寸先进工艺平台芯片投片量最大的半导体功率器件设计公司之一、是海内唯一一家完全基于8英寸芯片工艺平台开发设计MOSFET和IGBT产物的功率半导体设计类龙头企业。于2016-2019一连4年名列中国半导体功率器件十强企业。凭据IHS数据，2016、2017、2018年，公司MOSFET占海内市场份额划分为2.88%、2.83%、3.65%，市场份额逐步提升，是除英飞凌（Infineon）、安森美（ONSemiconductor）、瑞萨电子（RenesasElectronics）等 9 家外资品牌外，海内排名前茅的MOSFET研发设计及销售本土企业。

公司产物根据是否封装可以分为芯片和功率器件两类。公司主要卖力设计方案，制造和封装委托外部企业完成。公司是海内8英寸先进工艺平台芯片投片量最大的功率器件设计公司之一。现在公司开端完成先进封装测试产线的建设，具有小批量封装能力。

公司产物种类齐全，下游应用领域笼罩辽阔。现在主要产物包罗12V~200V沟槽型功率 MOSFET、30V~300V屏蔽栅功率MOSFET、500V~900V超结功率MOSFET和600V~1350V 沟槽栅场停止型IGBT，下游应用领域笼罩消费电子、汽车电子、工业电子以及新能源汽车/充电桩、智能装备制造、物联网、光伏新能源等领域。

新技术领域，公司现在已拥有"高浪涌电流能力碳化硅二极管""一种高耐压的碳化硅肖特基二极管"等多项相关专利，并努力推进"SiC 肖特基二极管工艺技术"、"氮化镓功率 HEMT 工艺"等研发项目。高管与科研团队：焦点治理和科研团队均具有多年的功率半导体研发、治理从业履历，多人曾有海内半导体领先企业的相关事情履历，起点高、实力强，为公司建立以来的快速发展打下扎实基础。控股股东、实际控制人朱袁正先生直接持有公司23.34%股权（同时朱袁正划分与叶鹏、王成宏等共计10名股东签订有关一致行动的协议）。朱袁正先生亦是公司技术创新领武士物，在半导体行业内拥有凌驾30年的研究和事情履历，是海内MOSFET 等半导体功率器件领域研究及工业化的亲历者和先行者。

以其为领武士物的公司研发团队，是海内最早一批专注于 8 英寸晶圆片工艺平台对 MOSFET、IGBT 等先进的半导体功率器件举行技术研发和产物设计的先行者之一，在该领域具有雄厚的技术实力和富厚的研发履历。停止2020年1月19日，公司拥有97项专利，其中发现专利35项、实用新型59项，外观设计3项。客户情况：公司通过较强的产物技术、富厚的产物种类、优良的产物质量已为多个下游细分领域龙头客户供货。

功率器件行业上下游工业链之间具有高度的粘性，下游应用行业对产物质量和供应商的选定有严格的要求，一旦对选用的功率器件产物经由测试、认证并规模化使用之后将不会轻易更换。随着公司品牌知名度提高，未来有望在国产替代的大趋势下实现高速发展。

财报业绩：2019公司营收7.73亿元，同比增长7.9%。2020 H1实现营业收入3.84亿元，同比增长17.0%。2019年公司受中美商业摩擦、功率半导体行业竞争加剧以及8英寸晶圆代工成本上涨等因素影响，销售毛利率及净利率有所下滑，实现净利润9821万元，同比下降30.6%。2020 H1，公司利润率有所回升，实现净利润5534万元，同比上升47.8%，业绩反弹增长。

公司功率器件和芯片的营收占比划分为76%和24%，功率器件占营收比例呈逐年上升趋势。随着公司功率器件细分型号不停富厚、品牌知名度不停提升、资金实力不停增强，公司主动提升MOSFET器件的销售占比以赚取更多利润。行业趋势：分立器件行业是半导体工业的重要分支，亦是电力电子产物的基础之一。

主要用于电力电子设备的整流、稳压、开关、混频等，具有应用规模广、用量大等特点，在消费电子、汽车电子、电子仪器仪表、工业及自动控制、盘算机及周边设备、网络通讯等众多国民经济领域均有广泛的应用。IHSMarkit数据显示，2018全球功率器件市场规模约为391亿美元，预计至2021年市场规模将增长至441亿美元，CAGR为4.1%，其中MOSFET和IGBT有望成为未来5年增长最强劲的功率器件。功率器件已历经数代生长。

2008年，英飞凌（Infineon）率先推出屏蔽栅功率MOSFET，半导体功率器件的性能进一步提升。海内市场而言，功率二极管、功率三极管、晶闸管平分立器件产物大部门已实现国产化，而 MOSFET、IGBT平分立器件产物由于其技术及工艺的先进性，还较大水平上依赖入口，未来入口替代空间庞大。现在海内功率半导体工业链正在日趋完善，技术也正在取得突破。

同时，中国也是全球最大的功率半导体消费国，2018年市场需求规模到达138亿美元，增速为9.5%，占全球需求比例高达35%。预计未来中国功率半导体将继续保持较高速度增长，2021年市场规模有望到达159亿美元，年化增速达4.8%。从技术实现和战略需求两个角度看，功率器件厂商有望加速实现国产化替代，行业前景恒久向好。

1、战略需求端，功率器件属于关键焦点零部件。参照"制造2025"技术门路图，先进轨道交通装备、节能与新能源汽车、电力装备、高等数控机床和机械人等已列为突破生长的十大重点领域。功率半导体在以上重点领域皆具有关键性作用，亟需自主可控，战略职位突出。

2、从技术角度，相较于IC，功率器件更偏向于成熟、尺度化产物，而并非依赖和追求先进制程，其产物竞争力主要由工艺和产线的水平决议。随着海内半导体分立器件厂商逐步到场到国际市场的供应体系，以及下游行业鼎力大举创新对上游分立器件行业的驱动，我国半导体分立器件行业已获得长足生长，并逐步形成对外洋产物的替代。整体来说，公司MOSFET产物矩阵完善，技术实力领先，是海内少数几家能够研发设计并量产先进的屏蔽栅MOSFET和超级结MOSFET的厂家之一。公司专注研发，使用募投项目举行"超低能耗高可靠性半导体功率器件研发升级及工业化"及第三代半导体功率器件项目建设，为公司产物高端化和恒久生长奠基基础。

公司建立初期接纳 Fabless 模式运营，将有限资源投入到研发中，取得快速发展。现阶段公司开始自建封测产线，增强对功率半导体焦点封测环节的控制，有利于与设计环节形成协同优化，并为公司恒久生长提供保障。

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